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PIP-MOS管

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MOS高压场效应650v 2A 5Ω管 产品型号:PTx02N65

  • MOS高压场效应650v 2A 5Ω管
产品简介:PIP高压场效应管,额定电压650v;额定电流2A;阻值范围4Ω~5Ω;阈值电压(Vth)范围2V~4V;导通栅极电荷量9nc;Ciss寄生电容290pF。
重点参数:
额定电压(DC)
650V
寄生电容 650pF
额定电流 2A 电阻范围 4Ω~5Ω
产品应用:

产品详情

PIP-MOS场效应管
额定电压 650V
额定电流
2A
阻值范围
4Ω~5Ω
阈值电压(Vth)
2V~4V
导通栅极电荷量(og,nc
9nc
寄生电容(Ciss
650pF
其它型号
PSx04N65
650V_4A_(1.9~2.9)Ω_15nc_544pF
PSx04N65C
650V_4A_(2.0~2.5)Ω_17.5nc_650pF
PSx04N65B
650V_4A_(2.1~2.5)Ω_8.5nc_450pF
PTxOSN65
650V_5A_(2.0~2.5)Ω_17nc_650pF
PTx06N65C 650V_6A_(1.55~1.85)Ω_16nc_660pF
P5x07N65 650V_7A_(1.1~1.4)Ω_25nc_1050pF
PTx07N65B
650V_7A_(1.2~1.4)Ω_20nc_1120pF
PTx08N65
650V_8A_(0.95~1.3)Ω_28nc_1240pF
PTxlON65B
650V_10A_(0.75~0.9)Ω_32nc_1660pF
PSxlON65C
650V_10A_(0.7~0.85)Ω_43nc_1340pF
PTx12N65
650V_12A_(0.6~0.75)Ω_52nc_1900pF
PTxl3N65
650V_13A_(0.55~0.65)Ω_46nc_2130pF
PTx16N65
650V_16A_(0.45~0.55)Ω_54nc_2442pF
PTx20N6SA
650V_20A_(0.33~0.5)Ω_65nc_2600pF
PTx26N65
650V_26A_(0.28~0.38)Ω_78nc_4200pF
PTW34N65
650V_34A_(0.13~0.19)Ω_150nc_7400pF
规格书 预览/下载


注解:例如,200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_670pF

1、200V为MOS额定电压;

2、9A为MOS额定电流;

3、(0.3~0.25)Ω为MOS阻值范围;

4、16nc为MOS栅极电荷Qg;

5、670pF为Ciss寄生电容;


封装类型

TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247


产品应用

产品应用领域广泛, 涵盖电子类多个领域, 如消费电子、智能家居、智能照明、工控设备、电动汽车等;


相关知识

1、Ciss寄生电容,最大限度降低开关损耗,提高转换效率,另外极低的寄生电容能够有效改善EMI电磁干扰。

2、RDSON为内阻,作为开关电源的主开关MOS,以上都能能够满足大部分的应用需求。

3、Qg(栅极电荷):栅极电荷Qg是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷,是指MOS开关完全打开,Gate极所需要的电荷量。

4、Vth通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时,电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

产品报价:MOS高压场效应650v 2A 5Ω管

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